IPD60R385CPATMA1 vs BSC052N08NS5ATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPD60R385CPATMA1 بذریعہ Infineon اور BSC052N08NS5ATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IPD60R385CPATMA1 | BSC052N08NS5ATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | CoolMOS™ CP (5th generation) | — |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) | 600 V | — |
| Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) | 385 mΩ (typ, VGS = 10 V) | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | 9 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 27 A | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Power Dissipation (PD) at TC=25°C | 83 W | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th)] | — |
| Gate Charge (Qg) | 18 nC (typ) | — |
| Reverse Recovery Charge (Qrr) | [DATA_NEEDED: Qrr] | — |
| Input Capacitance (Ciss) | [DATA_NEEDED: Ciss] | — |
| آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت | -55 °C to +150 °C | -55C to +150C |
| پیکیج / کیس | PG-TO252-3 (DPAK) | — |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| پن کی تعداد | 3 (Gate, Drain, Source; tab = Drain) | — |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant |
| MSL لیول | 1 (per JEDEC J-STD-020) | 1 (unlimited) |
| Part Number | — | BSC052N08NS5ATMA1 |
| Technology | — | OptiMOS 5 |
| ٹرانزسٹر کی قسم | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 80 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | — | 95 A |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | 5.2 mΩ |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | ±20 V |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | — | 2.5-3.0 V |
| Total Power Dissipation (Tc) | — | 83 W |
| Total Power Dissipation (Ta) | — | 2.5 W |
| پیکیج | — | PG-TDSON-8 (SuperSO8) 5x6 mm |