IPD65R380E6ATMA1 vs IPD052N10NF2SATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPD65R380E6ATMA1 بذریعہ Infineon اور IPD052N10NF2SATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IPD65R380E6ATMA1 | IPD052N10NF2SATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | CoolMOS™ E6 | — |
| ٹرانزسٹر کی قسم | N-Channel MOSFET | — |
| Technology | Superjunction (CoolMOS™) | MOSFET (Metal Oxide), OptiMOS 5 100V |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | 650 V | — |
| Continuous Drain Current (I_D) at T_C | 10.6 A | — |
| R_DS(on) max at V_GS=10V | 380 mΩ | — |
| R_DS(on) test conditions | 3.2 A, 10 V | — |
| Gate-Source Voltage (V_GS) max | ±20 V | — |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | 3.5 V typ | — |
| Gate Charge (Q_G) | 39 nC at 10 V | — |
| Input Capacitance (C_iss) | 710 pF at 100 V | — |
| Power Dissipation (P_D) at T_C | 83 W | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | -55 °C to +150 °C | — |
| پیکیج | PG-TO252-3 (DPAK), surface mount | — |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant |
| MSL لیول | 1 | — |
| Part Number | — | IPD052N10NF2SATMA1 |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | — | 17 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 118 A |
| Power Dissipation (PD) at Ta | — | 3 W |
| Power Dissipation (PD) at Tc | — | 150 W |
| Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) Max | — | 5.2 mΩ @ VGS=10V, ID=70A |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) Max | — | 3.8 V @ ID=84µA |
| پیکیج / کیس | — | PG-TO252-3 (DPAK, SC-63) |
| Supplier Device Package | — | PG-TO252-3 |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | — | -55 °C to +175 °C (TJ) |
| Number of Channels | — | 1 |