IPD70R1K4P7SAUMA1 vs IPD80R1K4P7ATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPD70R1K4P7SAUMA1 بذریعہ Infineon اور IPD80R1K4P7ATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IPD70R1K4P7SAUMA1 | IPD80R1K4P7ATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Family | CoolMOS P7 (700V Superjunction) | — |
| Polarity / Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 700 V | 800 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | 4 A | 4 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=100C | [DATA_NEEDED: ID at Tc=100C] | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: IDM] | — |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V, ID | 1.4 ohm | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] | 3.5 V (typ) |
| Total Power Dissipation (Ptot) at Tc=25C | 23 W | — |
| آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت | -55C to +150C | -55C to +150C |
| پیکیج | PG-TO252-3 (DPAK) | PG-TO252-2 (DPAK) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| پن کی تعداد | 3 (Gate, Drain, Source) | 3 (Gate, Drain/Tab, Source) |
| Technology | Superjunction (CoolMOS P7) | N-Channel Superjunction |
| Avalanche Energy Rated | Yes (100% avalanche tested) | Yes |
| ESD Protection | Integrated (per datasheet) | — |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant |
| Series | — | CoolMOS P7 |
| On-Resistance (RDS(on)) typ/max | — | 1.2 ohm typ / 1.4 ohm max |
| Gate Charge (Qg) typ | — | [DATA_NEEDED: Qg value] |
| پاور ڈسپیشن (Ptot) | — | 32 W |
| REACH Status | — | Compliant |
| MSL لیول | — | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Body Diode | — | Integrated, fast recovery |