IPD90P04P405ATMA2 vs IPD50P04P413ATMA2 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPD90P04P405ATMA2 بذریعہ Infineon اور IPD50P04P413ATMA2 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IPD90P04P405ATMA2 | IPD50P04P413ATMA2 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Polarity | P-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | -40 V | -40 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | -90 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | [DATA_NEEDED: pulsed IDM] |
| Power Dissipation (PD, Tc) | 125 W | — |
| On-Resistance RDS(on) at VGS = -10 V | 4.7 mΩ (typical) | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | ±20 V | ±20 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) range] | [DATA_NEEDED: VGS(th)] |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg total] | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | -55 °C to +175 °C (Tj) | -55 °C to +175 °C |
| پیکیج | PG-TO252-3-313 (DPAK, surface mount) | PG-TO252-3-313 (DPAK) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| پن کی تعداد | 3 (Gate, Drain, Source) | — |
| Process Technology | OptiMOS-P2 (trench + field plate) | — |
| MSL لیول | 1 (per JEDEC J-STD-020) | 1 |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant |
| Polarity / Device Type | — | P-Channel MOSFET |
| Technology | — | OptiMOS-P2 (Trench) |
| Continuous Drain Current (TC=25°C, ID) | — | 50 A |
| Continuous Drain Current (TC=100°C, ID) | — | [DATA_NEEDED: ID @ 100°C] |
| Power Dissipation (TC=25°C, Ptot) | — | 58 W |
| On-State Resistance (RDS(on)) @ VGS=-10V | — | 9.2 mΩ (typ) / 12.6 mΩ (max) |
| On-State Resistance (RDS(on)) @ VGS=-4.5V | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) @ VGS=-4.5V] |
| Maximum Junction Temperature (TJ,max) | — | 175 °C |
| Standard Pack Quantity (13" reel) | — | 2500 pcs |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 qualified |