IPG20N04S4L08AATMA1 vs IPC50N04S5L5R5ATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPG20N04S4L08AATMA1 بذریعہ Infineon اور IPC50N04S5L5R5ATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IPG20N04S4L08AATMA1 IPG20N04S4L08AATMA1 - Dual N-Ch 40V 8.2mΩ MOSFET | Infineon

IPG20N04S4L08AATMA1 - Dual N-Ch 40V 8.2mΩ MOSFET | Infineon

IPG20N04S4L08AATMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IPG20N04S4L08AATMA1 IPC50N04S5L5R5ATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
FET Type Dual N-Channel —
Technology OptiMOS-T2 (Logic Level) —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 40 V —
Continuous Drain Current (ID) @ TC=25°C 20 A (per channel) —
On-Resistance R<sub>DS(on)</sub> max @ VGS=10V 8.2 mΩ —
Gate Threshold Voltage V<sub>GS(th)</sub> typ 1.7 V —
Gate Drive (Logic Level) 4.5 V —
Power Dissipation (PD) @ TC=25°C 54 W —
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت -55°C to +175°C —
پیکیج PG-TDSON-8-10 (Wettable Flank) PG-TDSON-8-33 (TDSON EP 8-pin, exposed pad)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
AEC-Q101 Qualification Yes Qualified (automotive grade)
Peak Reflow Temperature 260°C 260 °C
Avalanche Rated Yes (100% tested) —
RoHS / REACH Compliant (Green Product) RoHS Compliant (Green Product)
AOI Compatible Yes (Wettable Flank) —
ٹرانزسٹر کی قسم — N-Channel MOSFET
Mode — Enhancement Mode
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 50 A
Maximum Drain Current (silicon-limited, 25 °C) — 60 A
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10 V — 5.5 mΩ
Gate Threshold VGS(th) — Logic Level (enhancement at ≤ 4.5 V VGS)
Power Dissipation (Tc) — 42 W
Thermal Resistance Junction-to-Case RthJC — 3.6 K/W
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج — -55 °C to +175 °C
MSL (Moisture Sensitivity Level) — MSL1
Avalanche Rating — 100 % Avalanche Tested

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں