IPG20N06S2L65AATMA1 vs IPG20N10S4L35ATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPG20N06S2L65AATMA1 بذریعہ Infineon اور IPG20N10S4L35ATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IPG20N06S2L65AATMA1 | IPG20N10S4L35ATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS | OptiMOS™, Automotive |
| FET Type | Dual N-Channel (Half Bridge / Independent) | 2 N-Channel (Dual) |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 55 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) | 20 A (per channel) | — |
| Power Dissipation (PD) | 43 W | — |
| Gate Threshold (VGS(th)) | Logic-Level | — |
| Technology | OptiMOS Trench MOSFET | — |
| پیکیج | PG-TDSON-8-10 (TDSON-8 EP, wettable flank) | — |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | -55 C to +175 C | 175°C max junction |
| AEC-Q101 Qualification | Yes | — |
| MSL لیول | MSL1 (peak reflow 260 C) | MSL1 (up to 260°C peak reflow) |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant (Green Product) | Compliant (Green Product) |
| Avalanche Tested | 100% (per datasheet) | — |
| AOI Compatible | Yes (wettable flank) | — |
| Part Number | — | IPG20N10S4L35ATMA1 |
| FET Feature | — | Logic Level Gate |
| Drain-to-Source Voltage (V<sub>DSS</sub>) | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>) at 25°C | — | 20 A |
| R<sub>DS(on)</sub> Max | — | 35 mΩ @ V<sub>GS</sub>=10 V, I<sub>D</sub>=17 A |
| Gate Threshold (V<sub>GS(th)</sub>) | — | [DATA_NEEDED: typical Vgs(th) value] |
| Power Dissipation (P<sub>D</sub>) | — | 43 W |
| پیکیج / کیس | — | PG-TDSON-8-4 (8-Pin TDSON EP) |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 |
| Avalanche Rated | — | 100% Avalanche Tested |