IPL65R130C7AUMA1 vs ISC011N04NM7VATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPL65R130C7AUMA1 بذریعہ Infineon اور ISC011N04NM7VATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IPL65R130C7AUMA1 | ISC011N04NM7VATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | CoolMOS C7 | — |
| Technology | Superjunction (SJ) N-channel MOSFET | Trench MOSFET, silicon |
| Drain-Source Voltage (V DS) | 650 V | — |
| Continuous Drain Current (I D, Tc=25°C) | 15 A | — |
| On-Resistance R DS(on) max | 130 mΩ | — |
| Power Dissipation (P D) | 102 W | — |
| پیکیج | PG-VSON-4 | PG-TDSON-8 (source-down) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | -40°C to +150°C (Tj) | -55 °C to +175 °C (TJ) |
| Gate Threshold Voltage (V GS(th)) | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] | — |
| Gate Charge (Q G) | [DATA_NEEDED: total gate charge] | — |
| Rise Time (t r) | [DATA_NEEDED: rise time] | — |
| Fall Time (t f) | [DATA_NEEDED: fall time] | — |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | — |
| MSL لیول | MSL 1 | MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Product Family | — | OptiMOS 7 Power-Transistor |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C | — | 38 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | — | 256 A |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | 1.1 mΩ |
| Power Dissipation (TA) | — | 3 W |
| Power Dissipation (TC) | — | 136 W |
| Gate Threshold Voltage (Vth) | — | Up to 3.2 V |
| Short-Circuit Withstand | — | Yes (current-limited) |
| RoHS Compliance | — | Compliant (per Infineon product page) |