IPN60R360P7SATMA1 vs IPD65R380E6ATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPN60R360P7SATMA1 بذریعہ Infineon اور IPD65R380E6ATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IPN60R360P7SATMA1 | IPD65R380E6ATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | CoolMOS P7 | CoolMOS™ E6 |
| Technology | Superjunction (SJ) N-Channel MOSFET | Superjunction (CoolMOS™) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 600 V | — |
| On-Resistance RDS(on) max | 360 mΩ | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | 9 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C | [DATA_NEEDED: ID at TA=25°C with standard PCB] | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| Power Dissipation (PD) at TC=25°C | 7 W | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) | ±20 V (max) | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] | — |
| Total Gate Charge (QG) | [DATA_NEEDED: QG typical at VGS=10V] | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | -55°C to +150°C (TJ) | -55 °C to +150 °C |
| پیکیج | PG-SOT223 (Surface Mount) | PG-TO252-3 (DPAK), surface mount |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| ESD Protection | Yes (integrated cell) | — |
| ہیلوجن فری | Yes (per Infineon datasheet) | — |
| RoHS Compliance | Compliant | — |
| پن کی تعداد | 3 functional + tab (PG-SOT223) | — |
| Body Diode | Integrated, fast-recovery | — |
| ٹرانزسٹر کی قسم | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | — | 650 V |
| Continuous Drain Current (I_D) at T_C | — | 10.6 A |
| R_DS(on) max at V_GS=10V | — | 380 mΩ |
| R_DS(on) test conditions | — | 3.2 A, 10 V |
| Gate-Source Voltage (V_GS) max | — | ±20 V |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | — | 3.5 V typ |
| Gate Charge (Q_G) | — | 39 nC at 10 V |
| Input Capacitance (C_iss) | — | 710 pF at 100 V |
| Power Dissipation (P_D) at T_C | — | 83 W |
| RoHS اسٹیٹس | — | Compliant |
| MSL لیول | — | 1 |