IPN95R3K7P7ATMA1 vs IPL65R070C7AUMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPN95R3K7P7ATMA1 بذریعہ Infineon اور IPL65R070C7AUMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IPL65R070C7AUMA1 IPL65R070C7AUMA1 - 650V 70mΩ CoolMOS C7 MOSFET | Infineon

IPL65R070C7AUMA1 - 650V 70mΩ CoolMOS C7 MOSFET | Infineon

IPL65R070C7AUMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IPN95R3K7P7ATMA1 IPL65R070C7AUMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series CoolMOS P7 CoolMOS C7
ٹرانزسٹر کی قسم N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 950 V 650 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc 2.0 A —
Power Dissipation (Pd) at Tc 6 W —
On-State Resistance (RDS(on)) max 3700 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ [DATA_NEEDED: VGS(th) typ] —
Technology Super-junction (CoolMOS P7) Superjunction N-Channel MOSFET
پیکیج PG-SOT223 (3-pin + tab, surface mount) PG-VSON-4 (surface mount)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت -55 C to +150 C -55°C to +150°C
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
MSL لیول [DATA_NEEDED: MSL rating] [DATA_NEEDED: MSL rating]
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 28 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=100°C — [DATA_NEEDED: ID at TC=100°C]
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 70 mΩ (typical)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/range]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg typical]
Power Dissipation (PD) at TC=25°C — 169 W
Avalanche Energy (EAS) — 171 mJ
Configuration — Single with built-in diode
Channel Type — N-Channel

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں