IPP147N12N3GXKSA1 vs IPP320N20N3GXKSA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPP147N12N3GXKSA1 بذریعہ Infineon اور IPP320N20N3GXKSA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
Infineon
IPP320N20N3GXKSA1 - 200V 34A OptiMOS 3 N-Channel MOSFET | Infineon
IPP320N20N3GXKSA1 ✓ فعالخصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IPP147N12N3GXKSA1 | IPP320N20N3GXKSA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS | — |
| Technology | OptiMOS 3 trench MOSFET | N-Channel Trench MOSFET |
| ٹرانزسٹر کی قسم | N-Channel MOSFET | — |
| Configuration | Single with built-in diode | — |
| Drain-to-Source Voltage (Vdss) | 120 V | — |
| Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C | 56 A | — |
| Continuous Drain Current (Id) at Ta | 56 A (Ta, per DigiKey listing) | — |
| Power Dissipation (Pd) at Tc=25C | 107 W | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | [DATA_NEEDED: Tj max and operating range] | -55°C to +175°C |
| پیکیج | PG-TO220-3 (through-hole) | TO-220-3 (PG-TO220-3) through-hole |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Through Hole | Through Hole |
| پنز کی تعداد | 3 (3+Tab) | 3 (3 + Tab) |
| Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: typical Qg value] | — |
| Rds(on) max | [DATA_NEEDED: Rds(on) max in mOhm at Vgs=10V] | — |
| Vgs(th) (Gate Threshold) | [DATA_NEEDED: typical gate threshold voltage] | — |
| Input Capacitance (Ciss) | [DATA_NEEDED: typical Ciss] | — |
| Output Capacitance (Coss) | [DATA_NEEDED: typical Coss] | — |
| Reverse Recovery (trr) | [DATA_NEEDED: body-diode reverse recovery time] | — |
| Avalanche Energy Rating | Single-pulse avalanche rated | — |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant (per distributor listing suffixes XKSA1) | Compliant |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Qualification | Automotive grade (per datasheet.live listing 'Automotive') | — |
| Packing Method | Tube | — |
| Product Family | — | OptiMOS 3 |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 200 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | — | 34 A |
| On-State Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 32 mΩ |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | — | 4 V |
| Total Power Dissipation PD at TC=25°C | — | 136 W |
| Channel Type | — | N-Channel |
| Element Configuration | — | Single |
| MSL لیول | — | Not applicable (through-hole) |