IPT007N06NATMA1 vs BSC027N04LSGATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPT007N06NATMA1 بذریعہ Infineon اور BSC027N04LSGATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IPT007N06NATMA1 | BSC027N04LSGATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Technology | OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET) | OptiMOS 3 (Trench) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 60 V | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID, TC=25C) | 300 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| On-Resistance (RDS(on), VGS=10V max) | 0.75 mOhm | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) | [DATA_NEEDED: VGS max] | — |
| Power Dissipation (PD, TC=25C) | 375 W | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | -55 C to +175 C (TJ) | -55°C to +150°C |
| پیکیج | PG-HSOF-8-1 (TOLL) | PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| Configuration | Single N-channel | — |
| Gate Charge (QG) | [DATA_NEEDED: total gate charge] | — |
| Avalanche Energy (EAS) | [DATA_NEEDED: single-pulse avalanche energy] | — |
| Thermal Resistance (RthJC max) | [DATA_NEEDED: RthJC] | — |
| MSL لیول | MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) | 1 |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| ہیلوجن فری | Yes | Yes |
| Standard Pack Quantity | 3000 (Tape & Reel) | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Product Family | — | OptiMOS 3 |
| ٹرانزسٹر کی قسم | — | N-Channel MOSFET |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C | — | 24 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C | — | 100 A |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | 2.7 mΩ |
| Power Dissipation (Ta=25°C) | — | 2.5 W |
| پاور ڈسپیشن (TC=25°C) | — | 83 W |