IPT059N15N3ATMA1 vs IAUC120N06S5L015ATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPT059N15N3ATMA1 بذریعہ Infineon اور IAUC120N06S5L015ATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IAUC120N06S5L015ATMA1 IAUC120N06S5L015ATMA1 - 60V 1.5mΩ OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

IAUC120N06S5L015ATMA1 - 60V 1.5mΩ OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

IAUC120N06S5L015ATMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IPT059N15N3ATMA1 IAUC120N06S5L015ATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
ٹرانزسٹر کی قسم N-Channel MOSFET —
Technology OptiMOS™ 3 (trench) N-Channel MOSFET (OptiMOS 5)
Drain-Source Voltage (VDS) max 150 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 155 A —
Static Drain-Source On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 5.9 mΩ —
Power Dissipation (PD) at TC=25°C 375 W —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] —
Total Gate Charge (Qg) typ [DATA_NEEDED: Qg typical] —
پیکیج PG-HSOF-8-1 (TOLL / TO-Leadless) PG-TDSON-8-43 (Surface Mount)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount (exposed pad)
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55 °C to +175 °C (TJ max 175 °C) -55C to +175C (Tj)
پن کی تعداد 8 + exposed source tab —
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
MSL لیول 1 [DATA_NEEDED: MSL level]
Automotive Qualified No (industrial grade; non-AEC-Q) —
Drain-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) — 235 A
On-Resistance RDS(on) max (VGS=10 V) — 1.5 mΩ
Gate Charge (Qg, typ) — 88 nC
Power Dissipation (PD, Tc=25C) — 167 W
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
Drain-Source On-State Resistance Test Conditions — VGS = 10 V, ID = 50 A
Typical Application — Automotive DC-DC, battery switches, motor drives

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں