IQD005N04NM6ATMA1 vs IQE220N15NM5ATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IQD005N04NM6ATMA1 بذریعہ Infineon اور IQE220N15NM5ATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IQD005N04NM6ATMA1 | IQE220N15NM5ATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 6 Power-Transistor | OptiMOS 5 Power-Transistor |
| Polarity / Channel Type | N-Channel | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C | 58 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) at Tc | 610 A | — |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | 0.5 mOhm | — |
| Power Dissipation (Ta) | 3 W | — |
| Power Dissipation (Tc) | 333 W | — |
| پیکیج | PG-TSON-8-9 (PQFN 5x6 mm) | PG-TSON-8-5 (Source-Down) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | -55C to +150C | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] | — |
| Technology | OptiMOS 6 trench MOSFET | Trench MOSFET (OptiMOS 5) |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant |
| MSL لیول | 1 | 1 |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | — | 150 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | — | 7 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 44 A |
| Power Dissipation (PD) at Ta | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (PD) at Tc | — | 100 W |
| RDS(on) Max at VGS=10V | — | 22 mΩ |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 4.6 V (typ at 46 µA) |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 14.4 nC at 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) | — | 14 pF |
| Output Capacitance (Coss) | — | 340 pF |
| آؤٹ پٹ کنفیگریشن | — | Single N-Channel |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | — | -55C to +150C (junction) |