IQD005N04NM6CGATMA1 vs BSC093N15NS5ATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IQD005N04NM6CGATMA1 بذریعہ Infineon اور BSC093N15NS5ATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IQD005N04NM6CGATMA1 IQD005N04NM6CGATMA1 - 40V 0.5mΩ OptiMOS 6 MOSFET | Infineon

IQD005N04NM6CGATMA1 - 40V 0.5mΩ OptiMOS 6 MOSFET | Infineon

IQD005N04NM6CGATMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IQD005N04NM6CGATMA1 BSC093N15NS5ATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
FET Type N-Channel N-Channel
Technology OptiMOS 6 (trench FET) OptiMOS 5 150V
Drain-to-Source Voltage (VDS) 40 V —
Gate-to-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
RDS(on) Typical 0.5 mΩ —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 58 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 610 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM pulsed rating] —
Power Dissipation at Ta 3 W —
Power Dissipation at Tc 333 W —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55 °C to +150 °C (TJ) [DATA_NEEDED: operating temperature range]
پیکیج PG-TTFN-9-U02 (Source-Down 5x6 mm²) SuperSO8 5x6 (PG-TDSON-8-7)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
پن کی تعداد 9 —
MSL لیول [DATA_NEEDED: MSL rating] [DATA_NEEDED: MSL level]
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Source Configuration Source-Down (bottom-side source for PCB heatsinking) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Drain-Source Voltage (VDS) Max — 150 V
Continuous Drain Current (ID) at TC — 87 A
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) Max at VGS=10V — 9.3 mΩ
Power Dissipation (PD) at TC — 139 W
Gate Drive Voltage (VGS) Recommended — 10 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: total gate charge Qg]
ہیلوجن فری — [DATA_NEEDED: halogen free status]

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں