IQD063N15NM5SCATMA1 vs IQDH35N03LM5SCATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IQD063N15NM5SCATMA1 بذریعہ Infineon اور IQDH35N03LM5SCATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IQDH35N03LM5SCATMA1 IQDH35N03LM5SCATMA1 - 30V 700A N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IQDH35N03LM5SCATMA1 - 30V 700A N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IQDH35N03LM5SCATMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IQD063N15NM5SCATMA1 IQDH35N03LM5SCATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS™ 5 —
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 150 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 151 A —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C 14.4 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM] —
On-Resistance RDS(on) at VGS=10V 5.1 mΩ —
On-Resistance RDS(on) at VGS=4.5V 6.32 mΩ (typ) —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) 3.8 V (max) —
Total Gate Charge (QG) at VGS=10V 48 nC —
Input Capacitance (Ciss) 3.6 nF —
Output Capacitance (Coss) 900 pF —
Reverse Transfer Capacitance (Crss) 21 pF —
Maximum Power Dissition (PD) at TC=25°C 333 W —
Maximum Power Dissition (PD) at TA=25°C 3 W —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55°C to +175°C -55 C to +175 C
پیکیج PG-WHSON-8-U02 (WHSON-8 with exposed pad) PG-WHSON-8-U02 (PQFN 5x6 Source-Down, 8-pin)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
ٹرانزسٹر کی قسم — N-Channel MOSFET
Technology — OptiMOS 5 (trench, shielded-gate)
Drain-Source Voltage (VDS) max — 30 V
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 66 A
Pulsed Drain Current (IDM) at Tc — 700 A
On-State Resistance (RDS(on)) max — 0.35 mOhm @ VGS=10V
Power Dissipation (PD) at Ta — 2.5 W
Power Dissipation (PD) at Tc — 278 W
MSL لیول — 1 (unlimited)
Marking — IQDH35N03LM5S

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں