IQE004NE1LM7CGATMA1 vs IQE020N04LM6CGATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IQE004NE1LM7CGATMA1 بذریعہ Infineon اور IQE020N04LM6CGATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IQE004NE1LM7CGATMA1 | IQE020N04LM6CGATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS 7 | OptiMOS 6 |
| Technology | N-Channel Trench Power MOSFET | OptiMOS 6, TrenchFET-class |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 15 V | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID, TA=25C) | 58 A | — |
| Continuous Drain Current (ID, TC=25C) | 379 A | — |
| Power Dissipation (TA=25C) | 2.1 W | — |
| Power Dissipation (TC=25C) | 89 W | — |
| On-Resistance RDS(on) max | 0.45 mOhm at VGS=10 V | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | [DATA_NEEDED: typical VGS(th)] | — |
| پیکیج | PG-TTFN-9-3 (surface mount) | PG-TTFN-9-3 (PQFN 3.3x3.3, source-down center-gate) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | -55C to +150C (junction) | — |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant |
| MSL لیول | [DATA_NEEDED: MSL rating] | MSL1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Packaging | Tape & Reel (CGATMA1 suffix) | — |
| Polarization | N-Channel | — |
| ٹرانزسٹر کی قسم | — | N-Channel MOSFET |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C | — | 25 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | — | 166 A |
| Power Dissipation (PD) at TA=25°C | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (PD) at TC=25°C | — | 107 W |
| On-State Resistance (RDS(on)) typical @ VGS=10V | — | 2.0 mΩ |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) value] |
| Gate Charge (Qg) typical | — | [DATA_NEEDED: Qg value] |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | — | -55°C to +150°C |
| Configuration | — | Single N-Channel, source-down |