IQE012N03LM5CGSCATMA1 vs BSC009NE2LS5IATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IQE012N03LM5CGSCATMA1 بذریعہ Infineon اور BSC009NE2LS5IATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
Infineon
IQE012N03LM5CGSCATMA1 - 30V 1.15mΩ OptiMOS 5 MOSFET | Infineon
IQE012N03LM5CGSCATMA1 ✓ فعالInfineon
BSC009NE2LS5IATMA1 - 25V 0.95mΩ 217A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon
BSC009NE2LS5IATMA1 ✓ فعالخصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IQE012N03LM5CGSCATMA1 | BSC009NE2LS5IATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | OptiMOS 5 (trench MOSFET) | OptiMOS™ 5 (25V/30V family) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 30 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) @ Ta | 34 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) @ Tc | 224 A | — |
| Maximum RDS(on) @ VGS=10V | 1.15 mΩ | — |
| Power Dissipation (Ta) | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (Tc) | 107 W | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 2 V (typ, per Merlin listing) | — |
| پیکیج | PG-WHTFN-9-1 (PQFN 3.3 × 3.3 mm Source-Down dual-side cooled) | PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6 mm) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت | -55 °C to +175 °C | — |
| MSL لیول | 1 (per JEDEC J-STD-020, floor life unlimited) | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Manufacturer Part Number | — | BSC009NE2LS5IATMA1 |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| ٹرانزسٹر کی قسم | — | N-Channel MOSFET |
| Configuration | — | Single with built-in diode |
| Drain-Source Voltage (V_DS) max | — | 25 V |
| Gate-Source Voltage (V_GS) max | — | 20 V |
| Gate-Threshold Voltage V_GS(th) typ | — | 1.7 V (range 1.0-2.0 V) |
| R_DS(on) max @ V_GS=10V | — | 0.95 mΩ |
| Continuous Drain Current (I_D) @ T_A=25°C | — | 40 A |
| Continuous Drain Current (I_D) @ T_C=25°C | — | 217 A (pulsed, datasheet rating) |
| Power Dissipation (P_D) @ T_A | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (P_D) @ T_C | — | 74 W |
| Total Gate Charge (Q_G) typ | — | 23 nC @ V_GS=0-4.5V |
| Input Capacitance (C_iss) typ | — | 3200 pF |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | — | -55°C to +150°C |
| Terminal Finish | — | Matte Tin (e3 per JESD-609) |
| Number of Terminals | — | 8 |