IQE013N04LM6ATMA1 vs IQE012N03LM5CGATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IQE013N04LM6ATMA1 بذریعہ Infineon اور IQE012N03LM5CGATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
Infineon
IQE013N04LM6ATMA1 - 40V 1.35mΩ OptiMOS N-FET, PQFN 3.3x3.3 | Infineon
IQE013N04LM6ATMA1 ✓ فعالخصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IQE013N04LM6ATMA1 | IQE012N03LM5CGATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Technology | OptiMOS N-channel trench MOSFET | — |
| Polarity | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | 30 V |
| Gate-Source Voltage (VGS) | ±20 V | — |
| Continuous Drain Current (Ta) | 31 A | — |
| Continuous Drain Current (Tc) | 205 A | — |
| Power Dissipation (Ta) | 2.5 W | 2.5 W |
| Power Dissipation (Tc) | 107 W | 107 W |
| On-Resistance RDS(on) max | [DATA_NEEDED: RDS(on) max value at VGS=10V] | — |
| On-Resistance RDS(on) typ | 1.35 mΩ @ VGS=10 V, ID=20 A | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 2 V (typ) | — |
| پیکیج | PG-TSON-8-4 / PQFN 3.3x3.3 mm Source-Down | PG-TTFN-9-3 (PQFN 3.3x3.3 Source-Down, center-gate) |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | -55 °C to +175 °C | — |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant |
| Source-Down Topology | Yes (flip-chip die attach, drain on top thermal pad) | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (ID, Ta) | — | 34 A |
| Pulsed Drain Current (IDM, Tc) | — | 224 A |
| On-Resistance RDS(on), typ | — | 1.20 mOhm |
| Gate-Source Threshold VGS(th) | — | 1.0 V to 2.4 V (typ, OptiMOS 5 logic-level) |
| Technology / Process | — | OptiMOS 5 trench |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | — | -55 C to +150 C (TJ) |
| Gate Drive (recommended) | — | 10 V (logic-level compatible) |
| MSL لیول | — | 1 |