IQE018N06NM6SCATMA1 vs ISZ072N06NM6ATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IQE018N06NM6SCATMA1 بذریعہ Infineon اور ISZ072N06NM6ATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IQE018N06NM6SCATMA1 IQE018N06NM6SCATMA1 - 60V 1.8mΩ OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

IQE018N06NM6SCATMA1 - 60V 1.8mΩ OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

IQE018N06NM6SCATMA1 ✓ فعال
Infineon
ISZ072N06NM6ATMA1 ISZ072N06NM6ATMA1 - 60V 57A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

ISZ072N06NM6ATMA1 - 60V 57A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

ISZ072N06NM6ATMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IQE018N06NM6SCATMA1 ISZ072N06NM6ATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Family OptiMOS 6 60 V —
Polarity / Channel Type N-Channel N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) Max 60 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C 25 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC 178 A —
On-Resistance RDS(on) Max 1.8 mΩ at VGS=10 V —
Gate Threshold Voltage VGS(th) Typ 3.3 V —
Power Dissipation (TA) 2.5 W —
Power Dissipation (TC) 125 W —
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
پیکیج PG-WHSON-8-1 (5x6 mm) PG-TSDSON-8-34 (TSDSON-8 FL)
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55 °C to +175 °C (TJ) -55C to +175C ( Tj max 175C )
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Product Family — OptiMOS 6 60V
Drain-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) — 57 A
Continuous Drain Current (ID, Ta) — 12.7 A
RDS(on) max @ VGS=10V — 7.2 mΩ
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 3.3 V (typ)
پاور ڈسپیشن (TC=25°C) — 50 W
Power Dissipation (Ta) — 2.5 W
Technology — OptiMOS 6 trench MOSFET
MSL لیول — 1

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں