IQE018N06NM6SCATMA1 vs ISZ072N06NM6ATMA1 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של IQE018N06NM6SCATMA1 מאת Infineon ו ISZ072N06NM6ATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | IQE018N06NM6SCATMA1 | ISZ072N06NM6ATMA1 |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Family | OptiMOS 6 60 V | — |
| Polarity / Channel Type | N-Channel | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | 60 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C | 25 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | 178 A | — |
| On-Resistance RDS(on) Max | 1.8 mΩ at VGS=10 V | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) Typ | 3.3 V | — |
| Power Dissipation (TA) | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (TC) | 125 W | — |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| מארז | PG-WHSON-8-1 (5x6 mm) | PG-TSDSON-8-34 (TSDSON-8 FL) |
| טווח טמפרטורת פעולה | -55 °C to +175 °C (TJ) | -55C to +175C ( Tj max 175C ) |
| סטטוס RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Product Family | — | OptiMOS 6 60V |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) | — | 57 A |
| Continuous Drain Current (ID, Ta) | — | 12.7 A |
| RDS(on) max @ VGS=10V | — | 7.2 mΩ |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 3.3 V (typ) |
| פיזור הספק (TC=25°C) | — | 50 W |
| Power Dissipation (Ta) | — | 2.5 W |
| Technology | — | OptiMOS 6 trench MOSFET |
| רמת MSL | — | 1 |