IQE022N06LM5CGSCATMA1 vs IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IQE022N06LM5CGSCATMA1 بذریعہ Infineon اور IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IQE022N06LM5CGSCATMA1 IQE022N06LM5CGSCATMA1 - 60V 151A OptiMOS 5 N-FET | Infineon

IQE022N06LM5CGSCATMA1 - 60V 151A OptiMOS 5 N-FET | Infineon

IQE022N06LM5CGSCATMA1 ✓ فعال
Infineon
IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 - 25V N-Ch 0.29mΩ MOSFET | Infineon

IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 - 25V N-Ch 0.29mΩ MOSFET | Infineon

IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IQE022N06LM5CGSCATMA1 IQDH29NE2LM5CGSCATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
FET Type N-Channel N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 25 V
Continuous Drain Current (TC) 151 A —
Continuous Drain Current (TA) 24 A —
Maximum Power Dissipation (TC) 100 W —
Maximum Power Dissipation (TA) 2.5 W —
RDS(on) Maximum at VGS=10V 2.2 mOhm —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2.3 V (typ) —
پیکیج PG-WHTFN-9 (5x6 mm) PG-WHTFN-9-U02 (WHTFN EP)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55C to +150C —
Technology Family OptiMOS 5 —
پن کی تعداد 9 (PG-WHTFN-9) 9
MSL لیول [DATA_NEEDED: MSL Level] [DATA_NEEDED: MSL rating]
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
Technology — OptiMOS 5 Power-Transistor
Continuous Drain Current (Ta) — 75 A
Continuous Drain Current (Tc) — 789 A
Power Dissipation (Ta) — 2.5 W
Power Dissipation (Tc) — 278 W
Maximum On-Resistance RDS(on) — 0.29 mΩ
Gate Threshold Voltage VGS(th) — 2 V (typ)
Cooling — Dual-side exposed pad (top + bottom)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں