IRF1010NPBF vs IRF1010NPBF-VB موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRF1010NPBF بذریعہ Infineon اور IRF1010NPBF-VB بذریعہ VBsemi Elec. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IRF1010NPBF | IRF1010NPBF-VB |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | VBsemi Elec |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| فی یونٹ قیمت (USD) | $1.32 | — |
| FET Type | N-Channel MOSFET | — |
| Technology | HEXFET planar | — |
| Drain-to-Source Voltage (Vdss) | 55 V | — |
| Continuous Drain Current (Id) at Tc | 85 A | — |
| Drain-Source On-Resistance (Rds(on)) | 11 mOhm max at 10 V gate drive | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 80 nC | — |
| Power Dissipation (Pd) | 180 W (Tc) | — |
| پیکیج | TO-220AB | TO-220AB (Through Hole) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Through Hole | Through Hole |
| Configuration | Single FET, 1 element | Single FET |
| Polarity | N-Channel | — |
| Series | HEXFET | — |
| Recommended Switching Frequency | Below 100 kHz | Below 100 kHz |
| Market Qualification | Industrial (JEDEC per manufacturer) | Industrial |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant (PbF = lead-free) | Compliant (Pb-free suffix) |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | — |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] | — |
| Continuous Drain Current (Id) at Ta | [DATA_NEEDED: Id at 25C ambient] | — |
| Transistor Polarity | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage VDSS | — | 55 V |
| Continuous Drain Current ID | — | 85 A (Tc) |
| Power Dissipation PD | — | 180 W (Tc) |
| On-Resistance RDS(on) | — | 0.014 Ohm (14 mOhm) |
| Total Gate Charge Qg | — | 80 nC |
| Gate-Source Voltage VGSS | — | +/-20 V |
| Operating Mode | — | Enhancement |
| Number of Channels | — | 1 |
| Process Technology | — | Planar HEXFET, Advanced Process Technology |