IRF1407PBF vs IRF1010NPBF-VB موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRF1407PBF بذریعہ Infineon اور IRF1010NPBF-VB بذریعہ VBsemi Elec. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IRF1407PBF | IRF1010NPBF-VB |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | VBsemi Elec |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | HEXFET (stripe-planar MOSFET) | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 75 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 130 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | 330 W | — |
| On-Resistance RDS(on) at VGS=10V | 7.8 mOhm (typical) | — |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS threshold typical/min/max] | — |
| Gate Charge (Qg) | 160 nC (typical) | — |
| Maximum Junction Temperature | 175 C | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | -55 C to +175 C | — |
| پیکیج | TO-220AB (through-hole, 3 leads) | TO-220AB (Through Hole) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Through Hole | Through Hole |
| Lead-Free / RoHS | Lead-free, RoHS compliant (PBF suffix) | — |
| Avalanche Rating | Repetitive avalanche rated | — |
| Transistor Polarity | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage VDSS | — | 55 V |
| Continuous Drain Current ID | — | 85 A (Tc) |
| Power Dissipation PD | — | 180 W (Tc) |
| On-Resistance RDS(on) | — | 0.014 Ohm (14 mOhm) |
| Total Gate Charge Qg | — | 80 nC |
| Gate-Source Voltage VGSS | — | +/-20 V |
| Operating Mode | — | Enhancement |
| Number of Channels | — | 1 |
| Configuration | — | Single FET |
| Process Technology | — | Planar HEXFET, Advanced Process Technology |
| Recommended Switching Frequency | — | Below 100 kHz |
| Market Qualification | — | Industrial |
| RoHS اسٹیٹس | — | Compliant (Pb-free suffix) |