IRF3710STRLPBF vs IRFB4310PBF موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRF3710STRLPBF بذریعہ Infineon اور IRFB4310PBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IRF3710STRLPBF IRFB4310PBF
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
FET Type N-Channel —
Technology HEXFET / IR MOSFET (planar) HEXFET (IR MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 100 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25 C) 57 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance RDS(on) max 23 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: VGS max] —
Total Gate Charge (Qg) 86.7 nC 170 nC
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Power Dissipation (PD, Tc=25 C) 200 W —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55 C to +175 C -55C to +175C (junction)
پیکیج D2PAK (TO-263), surface mount TO-220AB (through-hole)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Through Hole
RoHS اسٹیٹس Compliant (Pb-free) Compliant
Lead-Free Yes Yes (Pb-free PBF suffix)
Tape & Reel Orientation TRL (left) —
ٹرانزسٹر کی قسم — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 130 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=100C — [DATA_NEEDED: ID at Tc=100C]
Maximum Power Dissition (PD) at Tc=25C — 300 W
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 7 mOhm
On-Resistance RDS(on) typical at VGS=10V — 5.6 mOhm
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS maximum rating]
Threshold Voltage VGS(th) typ — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Avalanche Rated — Yes

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں