IRF520NPBF vs IRF540NSTRLPBF موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRF520NPBF بذریعہ Infineon اور IRF540NSTRLPBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IRF520NPBF IRF540NSTRLPBF
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies —
Series HEXFET —
FET Type N-Channel —
Drain-to-Source Voltage (V_DSS) 100 V —
Continuous Drain Current (I_D) at Tc 9.7 A —
Pulsed Drain Current (I_DM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current value] —
Gate-to-Source Voltage (V_GS) max ±20 V —
R_DS(on) max at V_GS=10V 200 mOhm —
Total Gate Charge (Q_g) 16.7 nC —
Power Dissipation (P_D) at Tc 48 W —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55C to +175C -55 C to +175 C
پیکیج TO-220AB (through-hole) D2PAK (TO-263), surface mount
ماؤنٹنگ ٹائپ Through Hole Surface Mount
MSL لیول 1 (unlimited) —
RoHS اسٹیٹس Compliant (Pb-free) Compliant (Pb-free)
Lead-Free Finish Yes (PBF suffix) —
Technology HEXFET (vertical DMOS) HEXFET (IR MOSFET)
ٹرانزسٹر کی قسم — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (Vdss) — 100 V
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C — 33 A
Pulsed Drain Current (Idm) — 110 A (per datasheet pulse curve)
On-Resistance Rds(on) max at Vgs=10V — 44 mOhm
Gate Threshold Voltage Vgs(th) — 2.0 V to 4.0 V
Total Gate Charge Qg — 47.3 nC (typical)
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C — 130 W
Packaging — Tape & Reel (13-inch reel)
Avalanche Energy Rated — Yes (HEXFET ruggedized)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں