IRF5305STRRPBF vs IRF5305STRLPBF موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRF5305STRRPBF بذریعہ Infineon اور IRF5305STRLPBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IRF5305STRLPBF IRF5305STRLPBF - 55V P-Ch MOSFET 31A 60mΩ | Infineon

IRF5305STRLPBF - 55V P-Ch MOSFET 31A 60mΩ | Infineon

IRF5305STRLPBF ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IRF5305STRRPBF IRF5305STRLPBF
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
ٹرانزسٹر کی قسم P-Channel MOSFET —
Technology HEXFET (Advanced Process) HEXFET (fifth generation), IR MOSFET
Drain-to-Source Voltage (VDS) -55 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC -31 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Gate-to-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
RDS(on) max @ VGS=-10V 60 mOhm —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min] —
Power Dissipation (TC) 110 W —
Power Dissipation (TA) 3.8 W —
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت -55C to +175C —
پیکیج D2PAK (TO-263) Surface Mount TO-263 / D2PAK (surface mount)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Lead-Free / RoHS Yes (Pb-free suffix) Yes (Pb-free suffix PBF)
Packaging Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR), 800 pcs per reel
Polarity P-Channel —
Polarity / Channel Type — P-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — -55 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — -31 A
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — [DATA_NEEDED: ID at TA=25C]
RDS(on) max at VGS=-10V — 60 mOhm
RDS(on) max at VGS=-4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-4.5V]
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — [DATA_NEEDED: VGS(th) typ]
Total Gate Charge (Qg) — 42 nC (Mouser listing) / 63 nC (Future Electronics listing)
Maximum Power Dissition at Tc — 110 W
Maximum Power Dissipation at TA — 3.8 W
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج — [DATA_NEEDED: Tj max / operating range]

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں