IRF530NSTRLPBF vs IRF520NPBF موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRF530NSTRLPBF بذریعہ Infineon اور IRF520NPBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IRF530NSTRLPBF | IRF520NPBF |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Polarity | N-Channel | — |
| MOSFET Operating Mode | Enhancement | — |
| Drain-Source Breakdown Voltage (V(BR)DSS) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | 17 A | — |
| Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max at VGS=10V | 90 mOhm | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 24.7 nC | — |
| Power Dissipation (Pd) at Tc=25C | 70 W | — |
| Power Dissipation (Pd) at Ta=25C | 3.8 W | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | +/- 20 V | — |
| Package Type | D2PAK (TO-263), 3-pin (2 + tab) | — |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Through Hole |
| Technology | HEXFET (Planar Stripe Cell) | HEXFET (vertical DMOS) |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | -55C to +175C | -55C to +175C |
| Lead-Free / RoHS Status | Lead-Free / RoHS Compliant | — |
| Qualification Market | Industrial | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Series | — | HEXFET |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-to-Source Voltage (V_DSS) | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (I_D) at Tc | — | 9.7 A |
| Pulsed Drain Current (I_DM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current value] |
| Gate-to-Source Voltage (V_GS) max | — | ±20 V |
| R_DS(on) max at V_GS=10V | — | 200 mOhm |
| Total Gate Charge (Q_g) | — | 16.7 nC |
| Power Dissipation (P_D) at Tc | — | 48 W |
| پیکیج | — | TO-220AB (through-hole) |
| MSL لیول | — | 1 (unlimited) |
| RoHS اسٹیٹس | — | Compliant (Pb-free) |
| Lead-Free Finish | — | Yes (PBF suffix) |