IRF7342TRPBF vs IRF7205TRPBF موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRF7342TRPBF بذریعہ Infineon اور IRF7205TRPBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IRF7342TRPBF IRF7205TRPBF
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Part Number IRF7342TRPBF —
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) —
Technology HEXFET Power MOSFET (Fifth Generation), P-Channel IR HEXFET (4th generation)
Configuration Dual P-Channel MOSFET Array (two independent P-FETs in one package) —
Drain-Source Voltage (Vds) -55 V —
Continuous Drain Current (Id) -3.4 A at 25 C —
Pulsed Drain Current (Idm) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) -1.0 V to -3.0 V (typ -1.7 V) —
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) 0.105 ohm max at VGS = -10 V —
Maximum Power Dissumption (Pd) 2 W —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55 C to +150 C (Tj) —
پیکیج 8-SOIC (SO-8), surface mount SO-8 (8-SO)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Packaging Tape and Reel (TR) Tape & Reel (TR suffix)
Lead-Free / RoHS Yes (PBF suffix indicates lead-free, RoHS compliant) —
Channel Type P-Channel (enhancement mode) —
Number of Channels 2 (dual array) —
FET Type — P-Channel MOSFET
Drain-to-Source Voltage (VDS) — -30 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C — -4.6 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: IDM]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=-10V — 70 mΩ
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=-4.5V — 130 mΩ
Gate Threshold Voltage VGS(th) — -1.0 V to -3.0 V
Total Gate Charge Qg — 27 nC
پاور ڈسپیشن (TC=25°C) — 2.5 W
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت — -55 °C to +150 °C
RoHS / Lead-Free — Lead-Free (PBF suffix), RoHS compliant

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں