IRF7342TRPBF vs IRF7205TRPBF השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IRF7342TRPBF מאת Infineon ו IRF7205TRPBF מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר IRF7342TRPBF IRF7205TRPBF
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Part Number IRF7342TRPBF —
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) —
Technology HEXFET Power MOSFET (Fifth Generation), P-Channel IR HEXFET (4th generation)
Configuration Dual P-Channel MOSFET Array (two independent P-FETs in one package) —
Drain-Source Voltage (Vds) -55 V —
Continuous Drain Current (Id) -3.4 A at 25 C —
Pulsed Drain Current (Idm) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) -1.0 V to -3.0 V (typ -1.7 V) —
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) 0.105 ohm max at VGS = -10 V —
Maximum Power Dissumption (Pd) 2 W —
טווח טמפרטורת פעולה -55 C to +150 C (Tj) —
מארז 8-SOIC (SO-8), surface mount SO-8 (8-SO)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
Packaging Tape and Reel (TR) Tape & Reel (TR suffix)
Lead-Free / RoHS Yes (PBF suffix indicates lead-free, RoHS compliant) —
Channel Type P-Channel (enhancement mode) —
Number of Channels 2 (dual array) —
FET Type — P-Channel MOSFET
Drain-to-Source Voltage (VDS) — -30 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C — -4.6 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: IDM]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=-10V — 70 mΩ
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=-4.5V — 130 mΩ
Gate Threshold Voltage VGS(th) — -1.0 V to -3.0 V
Total Gate Charge Qg — 27 nC
פיזור הספק (TC=25°C) — 2.5 W
טמפרטורת צומת פעולה — -55 °C to +150 °C
RoHS / Lead-Free — Lead-Free (PBF suffix), RoHS compliant

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר