IRF7351TRPBF vs IRF7105TRPBF موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRF7351TRPBF بذریعہ Infineon اور IRF7105TRPBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IRF7351TRPBF IRF7105TRPBF
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) Infineon Technologies
Part Number IRF7351TRPBF —
Configuration Dual N-Channel MOSFET (Half-Bridge) —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID) 8 A —
On-Resistance RDS(on) max 17.8 mOhm —
On-Resistance RDS(on) typ (per digchips) 0.0137 ohm (13.7 mOhm) —
Total Gate Charge (Qg) 24 nC —
Power Dissipation (PD) 2 W —
Technology IR MOSFET (HEXFET trench) HEXFET (IR MOSFET, fifth generation)
پیکیج 8-SO (SO-8 / SOIC-8) Surface Mount 8-SO (SOIC-8)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
آپریٹنگ درجہ حرارت -55C to +150C (junction) —
Typical Application Synchronous Rectifier for Isolated DC-DC Converters —
RoHS اسٹیٹس Compliant (PBF suffix = lead-free) —
Lead-Free Yes —
MSL لیول [DATA_NEEDED: MSL Level] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min] —
Part Series — IRF7105 (HEXFET Fifth Generation)
Polarity / Configuration — N-Channel + P-Channel, dual MOSFET in one package
Drain-to-Source Voltage (Vds) — 25 V
Continuous Drain Current - N-channel (Id, N-ch) — 3.5 A
Continuous Drain Current - P-channel (Id, P-ch) — 2.3 A
Rds(on) Maximum — 100 mOhm
Total Package Power Dissipation (Pd) — 2 W
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج — [DATA_NEEDED: junction temperature range]
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) — [DATA_NEEDED: typical Vgs(th)]
Packaging Form — Tape & Reel (TR)
Lead-Free / RoHS Status — Pb-free (PBF suffix), RoHS compliant
پن کی تعداد — 8

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں