IRF7389PBF vs IRF7854TRPBF موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRF7389PBF بذریعہ Infineon اور IRF7854TRPBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IRF7389PBF IRF7854TRPBF
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
فی یونٹ قیمت (USD) — $0.48
Configuration N and P-Channel (complementary half-bridge) —
Drain-to-Source Voltage N-Ch (V_DSS) 30 V —
Drain-to-Source Voltage P-Ch (V_DSS) -30 V —
Continuous Drain Current N-Ch (I_D) 7.3 A —
Continuous Drain Current P-Ch (I_D) -5.3 A —
On-Resistance N-Ch R_DS(on) max 0.029 ohm at V_GS=10V —
On-Resistance P-Ch R_DS(on) max 0.058 ohm at V_GS=10V —
Total Gate Charge N-Ch (Q_g) typical 22 nC —
Total Gate Charge P-Ch (Q_g) typical 23 nC —
Power Dissipation (P_D) 2.5 W —
Technology Generation V HEXFET HEXFET (planar N-channel)
پیکیج SO-8 (SOIC-8) surface mount SO-8
Pinout Industry-standard complementary SO-8 —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج [DATA_NEEDED: full operating temperature range] -55°C to +150°C (TJ)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
RoHS اسٹیٹس Compliant —
Lead-Free Yes —
ہیلوجن فری Yes —
Avalanche Rated Yes (fully avalanche rated) —
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 80 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C — 10 A
Power Dissipation (PD) at Ta=25°C — 2.5 W
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 13.4 mΩ
Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) max — 4.9 V
Total Gate Charge Qg — 27 nC
Lead-Free / RoHS — Yes (PBF suffix, lead-free)
Qualification — JEDEC industrial, Normal level
Solder Process — Reflow and wave-solderable
Gate Drive Voltage (recommended) — 10 V

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں