IRF7815TRPBF vs IRFR4615TRLPBF موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRF7815TRPBF بذریعہ Infineon اور IRFR4615TRLPBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IRF7815TRPBF IRF7815TRPBF - 150V N-Ch HEXFET MOSFET 5.1A | Infineon

IRF7815TRPBF - 150V N-Ch HEXFET MOSFET 5.1A | Infineon

IRF7815TRPBF ✓ فعال
Infineon
IRFR4615TRLPBF IRFR4615TRLPBF - 150V 33A N-Ch MOSFET, DPAK | Infineon

IRFR4615TRLPBF - 150V 33A N-Ch MOSFET, DPAK | Infineon

IRFR4615TRLPBF ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IRF7815TRPBF IRFR4615TRLPBF
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
FET Type N-Channel MOSFET —
Technology IR MOSFET (HEXFET) IR MOSFET (N-Channel Enhancement Mode)
Drain-to-Source Voltage (Vdss) 150 V —
Continuous Drain Current (Id) at Ta=25C 5.1 A —
Rds(on) Max at Vgs=10V 43 mOhm —
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) Typ 3.0 V —
Total Gate Charge (Qg) Typ 25 nC —
Maximum Power Dissipation (Ta=25C) 2.5 W —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55C to +150C (Tj) -55C to +175C
پیکیج SO-8 (8-SO) TO-252AA (DPAK)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
MSL لیول 1 —
RoHS اسٹیٹس Compliant (Pb-free) —
Lead-Free Yes —
Configuration Single —
Avalanche Rated Yes —
Drain-Source Voltage (VDS) — 150 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 33 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max]
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 42 mOhm
Total Gate Charge (Qg) — 26 nC
Gate-Source Charge (Qgs) — [DATA_NEEDED: Qgs]
Gate-Drain Charge (Qgd) — [DATA_NEEDED: Qgd]
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 144 W
Avalanche Energy (EAS) — 109 mJ
Lead-Free / RoHS — Yes (PBF suffix indicates Pb-free)
سنگل پلس ایوالانچ انرجی — 109 mJ

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں