IRFB4110PBF vs IRF1405PBF موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRFB4110PBF بذریعہ Infineon اور IRF1405PBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IRFB4110PBF | IRF1405PBF |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| اسٹاک کی حالت | In Stock | — |
| فی یونٹ قیمت (USD) | $1.55 | — |
| ٹرانزسٹر کی قسم | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | 120 A (bond-wire limited) | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | ±20 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] | — |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 4.5 mΩ | — |
| On-Resistance RDS(on) typ at VGS=10V | 3.7 mΩ | — |
| Power Dissipation (PD) at TC=25°C | 370 W | — |
| آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت | -55 °C to +175 °C | — |
| پیکیج | TO-220AB (through-hole) | TO-220AB (through-hole) |
| Technology | HEXFET (planar DMOS) | HEXFET (Stripe Planar cell structure) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Through Hole | Through Hole |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant (Pb-free suffix) | PbF suffix indicates lead-free / RoHS compliant |
| Lead-Free | Yes (PBF suffix denotes Pb-free) | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies (formerly International Rectifier) |
| Part Number Suffix | — | PbF (lead-free, RoHS compliant) |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | — | 55 V |
| Continuous Drain Current (I_D, Tc=25C) | — | 169 A |
| Continuous Drain Current (I_D, Tc=100C) | — | [DATA_NEEDED: I_D at Tc=100C] |
| Pulsed Drain Current (I_DM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current rating] |
| Maximum Power Dissipation (P_D, Tc=25C) | — | 330 W |
| R_DS(on) Maximum | — | 5.3 mOhm @ V_GS = 10 V |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | — | 2.0 V to 4.0 V |
| Maximum Gate-Source Voltage (V_GS) | — | [DATA_NEEDED: maximum V_GS rating] |
| Operating Junction Temperature (T_J max) | — | 175 C |
| Storage Temperature Range | — | [DATA_NEEDED: storage temperature range] |
| Qualification | — | JEDEC qualified, optimized for switching below 100 kHz |
| Single Pulse Avalanche Energy (E_AS) | — | [DATA_NEEDED: avalanche energy rating] |
| Thermal Resistance Junction-to-Case (R_theta_JC) | — | [DATA_NEEDED: thermal resistance R_theta_JC] |