IRFB7545PBF vs IPB019N08N3GATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRFB7545PBF بذریعہ Infineon اور IPB019N08N3GATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IRFB7545PBF | IPB019N08N3GATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Number | IRFB7545PBF | — |
| Technology | StrongIRFET™ (HEXFET, N-Channel) | MOSFET (Metal Oxide) |
| Polarity | N-Channel | — |
| VDS (Drain-Source Voltage) max | 60 V | — |
| VGS (Gate-Source Voltage) max | ±20 V | — |
| RDS(on) max at VGS=10V | 5.9 mOhm | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | 95 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 380 A | — |
| Single-Pulse Avalanche Current (IAS) | 57 A | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | 125 W | — |
| Thermal Resistance Junction-to-Case (RthJC) | 1.0 C/W | — |
| آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت | -55C to +175C | — |
| پیکیج | TO-220AB (Through-Hole) | PG-TO263-7 (D2PAK-6, surface mount) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Through Hole (THT) | Surface Mount |
| Lead-Free / RoHS | Yes (Lead-Free, PBF suffix) | — |
| MSL لیول | N/A (Through-Hole) | — |
| Gate Drive Voltage (typical) | 10 V | — |
| Avalanche Energy Rated | Yes | — |
| Series | — | OptiMOS 3 |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-to-Source Voltage (Vdss) | — | 80 V |
| Continuous Drain Current (Id) @ Tc=25°C | — | 180 A |
| Power Dissipation (Pd) @ Tc=25°C | — | 300 W |
| On-Resistance RDS(on) Max @ VGS=10V | — | 1.9 mΩ |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | — | 3.5 V |
| Drive Voltage (Rds On Max) | — | 6 V, 10 V |
| Total Gate Charge (Qg) @ VGS=10V | — | 206 nC |
| Input Capacitance (Ciss) | — | 14.2 nF |
| Output Capacitance (Coss) | — | 3.84 nF |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | — | 3.84 nF |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | — | -55 °C to +175 °C |
| RoHS اسٹیٹس | — | Compliant |