IRFR540ZTRPBF vs IRFR3710ZTRPBF موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRFR540ZTRPBF بذریعہ Infineon اور IRFR3710ZTRPBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IRFR540ZTRPBF IRFR540ZTRPBF - 100V N-Ch MOSFET, 35A, DPAK | Infineon

IRFR540ZTRPBF - 100V N-Ch MOSFET, 35A, DPAK | Infineon

IRFR540ZTRPBF ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IRFR540ZTRPBF IRFR3710ZTRPBF
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
ٹرانزسٹر کی قسم N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (Vds) 100 V —
Continuous Drain Current (Id) 35 A (at Tc) —
Pulsed Drain Current (Idm) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-Resistance Rds(on) Max 28.5 mOhm at Vgs=10V —
Gate-Source Threshold Vgs(th) [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical value] —
Total Gate Charge (Qg) 39 nC —
Power Dissipation (Pd) 91 W (at Tc) —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55 C to +175 C (junction) —
پیکیج TO-252AA (DPAK) surface mount TO-252AA (DPAK)
Technology IR MOSFET HEXFET (IR MOSFET)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
پن کی تعداد 3 (Gate, Drain, Source) —
MSL لیول 1 (unlimited floor life at <30 C / 85% RH) —
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
Lead-Free / Halogen-Free Yes / Yes —
Automotive Qualified Yes (AEC-Q101) —
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 56 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=100C — [DATA_NEEDED: ID at TC=100C]
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed IDM]
Gate-Source Voltage (VGS) — ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max]
Static Drain-Source On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 18 mOhm
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 140 W
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت — -55C to +175C
Lead-Free — Yes

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں