IRFR5410TRPBF vs IPD50P04P4L11ATMA2 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRFR5410TRPBF بذریعہ Infineon اور IPD50P04P4L11ATMA2 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IPD50P04P4L11ATMA2 IPD50P04P4L11ATMA2 - P-Ch 40V 50A 10.6mΩ MOSFET | Infineon

IPD50P04P4L11ATMA2 - P-Ch 40V 50A 10.6mΩ MOSFET | Infineon

IPD50P04P4L11ATMA2 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IRFR5410TRPBF IPD50P04P4L11ATMA2
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Polarity P-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) -100 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC = 25 °C -13 A —
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max at VGS = -10 V 205 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Total Gate Charge (Qg) typ 70 nC —
پیکیج TO-252AA (DPAK), surface mount PG-TO252-3-313 (DPAK), surface mount
Power Dissition (PD) at TC = 25 °C 66 W —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55 °C to +150 °C (TJ) —
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Technology HEXFET (advanced process, Gen 5) —
Avalanche Rated Yes (fully avalanche rated) —
Lead-Free / RoHS Status Lead-free, RoHS compliant (PBF suffix) —
MSL لیول [DATA_NEEDED: MSL rating] [DATA_NEEDED: MSL rating]
RDS(on) Test Conditions VGS = -10 V, ID = -7.0 A —
ٹرانزسٹر کی قسم — P-Channel MOSFET, enhancement mode
Drain-Source Voltage VDS — -40 V
Continuous Drain Current ID (TC = 25 °C) — -50 A
On-State Resistance RDS(on) (VGS = -10 V) — 10.6 mΩ typical
Gate-Source Voltage VGS (max) — ±20 V
Gate Threshold Voltage VGS(th) — -1.0 V to -2.5 V typical
Typical Gate Charge Qg — 45 nC
Power Dissipation PD (TC = 25 °C) — 58 W
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت — -55 °C to +175 °C
پن کی تعداد — 3 (Drain / Tab / Source / Gate)
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
RoHS Compliance — Compliant

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں