IRFS3306PBF vs IRFB3306PBF موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRFS3306PBF بذریعہ Infineon اور IRFB3306PBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IRFS3306PBF IRFB3306PBF
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
FET Type N-Channel N-Channel
Technology HEXFET (IR MOSFET) IR HEXFET (MOSFET)
Drain-to-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc) 120 A (package limited) —
Continuous Drain Current (ID, silicon limited) 160 A —
Gate-to-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: typical VGS(th)] —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 4.2 mOhm —
On-Resistance RDS(on) typ @ VGS=10V 3.3 mOhm —
Total Gate Charge (Qg) typ 85 nC [DATA_NEEDED: total gate charge Qg]
Gate-to-Drain Charge (Qgd) typ [DATA_NEEDED: Qgd nominal value] —
Power Dissipation (Pd) max @ Tc=25C 230 W —
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت -55C to +175C -55°C to +175°C
پیکیج D2PAK (TO-263AB) surface mount TO-220AB (through-hole)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Through Hole
MSL لیول 1 (per JEDEC J-STD-020) —
Lead-Free / RoHS PbF (lead-free), RoHS compliant —
Drain-Source Voltage (Vdss) — 60 V
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25°C — 120 A
Pulsed Drain Current (Idm) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-Source Voltage (Vgs) max — ±20 V
Rds(on) max @ Vgs=10V — 4.2 mΩ
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) — [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical value]
Gate-Drain Charge (Qgd) typ — 26 nC (nominal)
Power Dissipation (Pd) at Tc=25°C — 230 W
RoHS / Lead-Free (PbF) — Yes (PbF suffix indicates lead-free, RoHS compliant)
Avalanche Rated — Yes
Body Diode — Intrinsic (avalanche-rated)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں