IRLB8748PBF vs IRLB4030PBF موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRLB8748PBF بذریعہ Infineon اور IRLB4030PBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IRLB8748PBF IRLB4030PBF
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 92 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=100C [DATA_NEEDED: ID at TC=100C] —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 4.8 mOhm 4.3 mOhm
On-Resistance RDS(on) max at VGS=4.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V] —
Gate-Source Voltage (VGS) max +/- 20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Total Gate Charge (Qg) 15 nC typical 87 nC
Power Dissipation (PD) at TC=25C 75 W —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55C to +175C (junction) -55C to +175C
Package Type TO-220AB through-hole —
ماؤنٹنگ ٹائپ Through Hole Through Hole
Technology Family StrongIRFET / HEXFET —
Channel Type N-Channel —
Logic-Level Gate Drive Yes (optimized for 5V VGS) —
RoHS اسٹیٹس Compliant (Pb-free PBF suffix) Compliant
Qualification Standard JEDEC (Industrial market per datasheet) —
ٹرانزسٹر کی قسم — N-Channel MOSFET
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 180 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current value]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Gate-to-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS absolute maximum, typical +/- 20 V]
Power Dissipation (PD) at Tc — 370 W
پیکیج — TO-220AB
Technology — HEXFET (StrongIRFET family)
Logic Level Drive — Yes (optimized for 4.5 V to 10 V VGS)
Qualification — JEDEC

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں