IRLB8748PBF vs IRLB4030PBF مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IRLB8748PBF توسط Infineon و IRLB4030PBF توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

مقایسه مشخصات

پارامتر IRLB8748PBF IRLB4030PBF
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 92 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=100C [DATA_NEEDED: ID at TC=100C] —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 4.8 mOhm 4.3 mOhm
On-Resistance RDS(on) max at VGS=4.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V] —
Gate-Source Voltage (VGS) max +/- 20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Total Gate Charge (Qg) 15 nC typical 87 nC
Power Dissipation (PD) at TC=25C 75 W —
محدوده دمای کاری -55C to +175C (junction) -55C to +175C
Package Type TO-220AB through-hole —
نوع نصب Through Hole Through Hole
Technology Family StrongIRFET / HEXFET —
Channel Type N-Channel —
Logic-Level Gate Drive Yes (optimized for 5V VGS) —
وضعیت RoHS Compliant (Pb-free PBF suffix) Compliant
Qualification Standard JEDEC (Industrial market per datasheet) —
نوع ترانزیستور — N-Channel MOSFET
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 180 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current value]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Gate-to-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS absolute maximum, typical +/- 20 V]
Power Dissipation (PD) at Tc — 370 W
بسته‌بندی — TO-220AB
Technology — HEXFET (StrongIRFET family)
Logic Level Drive — Yes (optimized for 4.5 V to 10 V VGS)
Qualification — JEDEC

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت