IRLHS6242TRPBF vs IRLML6346TRPBF موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRLHS6242TRPBF بذریعہ Infineon اور IRLML6346TRPBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IRLML6346TRPBF IRLML6346TRPBF - 30V 3.4A N-Ch HEXFET MOSFET | Infineon

IRLML6346TRPBF - 30V 3.4A N-Ch HEXFET MOSFET | Infineon

IRLML6346TRPBF ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IRLHS6242TRPBF IRLML6346TRPBF
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
FET Type N-Channel —
Technology HEXFET (trench MOSFET) HEXFET Power MOSFET
Drain-to-Source Voltage (VDS) 20 V —
Gate-to-Source Voltage (VGS) ±12 V —
Continuous Drain Current (TA) 10 A —
Continuous Drain Current (TC) 12 A —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=4.5V 11.7 mΩ —
Total Gate Charge (Qg) 14 nC —
Power Dissipation (TA) 1.98 W —
Power Dissipation (TC) 9.6 W —
پیکیج 6-PQFN (2x2) / DFN2020 with exposed pad Micro3 / SOT-23
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
آپریٹنگ درجہ حرارت -55°C to +150°C —
Gate Drive Level Logic-level (4.5V); 2.5V-capable —
Qualification JEDEC standard —
Polarity — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 30 V
Continuous Drain Current (ID) — 3.4 A (TA=25C)
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
RDS(on) max @ VGS=2.5V — 63 mOhm
RDS(on) max @ VGS=4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) value]
Gate Drive Capability — 2.5V logic-level
Maximum Power Dissipation (PD) — 1.3 W (TA=25C, 1in2 FR4)
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت — -55C to +150C
MSL لیول — 1
Lead-Free Finish — Yes (PBF suffix)
RoHS اسٹیٹس — Compliant

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں