IRLHS6242TRPBF vs IRLML6346TRPBF مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار IRLHS6242TRPBF توسط Infineon و IRLML6346TRPBF توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | IRLHS6242TRPBF | IRLML6346TRPBF |
|---|---|---|
| برند | Infineon | Infineon |
| دسته‌بندی | MOSFETs | MOSFETs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | HEXFET (trench MOSFET) | HEXFET Power MOSFET |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 20 V | — |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) | ±12 V | — |
| Continuous Drain Current (TA) | 10 A | — |
| Continuous Drain Current (TC) | 12 A | — |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=4.5V | 11.7 mΩ | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 14 nC | — |
| Power Dissipation (TA) | 1.98 W | — |
| Power Dissipation (TC) | 9.6 W | — |
| بسته‌بندی | 6-PQFN (2x2) / DFN2020 with exposed pad | Micro3 / SOT-23 |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| دمای کاری | -55°C to +150°C | — |
| Gate Drive Level | Logic-level (4.5V); 2.5V-capable | — |
| Qualification | JEDEC standard | — |
| Polarity | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) | — | 3.4 A (TA=25C) |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| RDS(on) max @ VGS=2.5V | — | 63 mOhm |
| RDS(on) max @ VGS=4.5V | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) value] |
| Gate Drive Capability | — | 2.5V logic-level |
| Maximum Power Dissipation (PD) | — | 1.3 W (TA=25C, 1in2 FR4) |
| دمای اتصال کاری | — | -55C to +150C |
| سطح MSL | — | 1 |
| Lead-Free Finish | — | Yes (PBF suffix) |
| وضعیت RoHS | — | Compliant |