IRLML0030TRPBF vs IRLL024NTRPBF موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRLML0030TRPBF بذریعہ Infineon اور IRLL024NTRPBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IRLML0030TRPBF | IRLL024NTRPBF |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| FET Type | N-Channel | MOSFET, Metal Oxide |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 30 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | 5.3 A | — |
| Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max | 27 mOhm at VGS=4.5V | — |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | Logic-level (5 V optimized) | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 3.6 nC typical | 10.4 nC |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | 1.3 W | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | -55C to +150C | — |
| پیکیج | Micro3 / SOT-23 (3-pin) | SOT-223 (4-pin) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | IR HEXFET Power MOSFET | HEXFET Power MOSFET |
| MSL لیول | 1 (unlimited floor life per JEDEC J-STD-020) | — |
| Soldering | Wave-solder capable | — |
| Qualification | JEDEC standard | — |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant |
| Polarity | — | N-Channel |
| Operating Mode | — | Enhancement Mode |
| V(BR)DSS (Drain-Source Breakdown Voltage) | — | 55 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | — | 3.1 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | 4.4 A |
| Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) | — | 0.065 ohm |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | Logic Level (5 V drive capable) |
| Maximum Power Dissipation (Pd) at Ta | — | 1.0 W |
| Maximum Operating Junction Temperature | — | 175 C |