IRLR2705TRLPBF vs IRLR2905TRPBF موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRLR2705TRLPBF بذریعہ Infineon اور IRLR2905TRPBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IRLR2705TRLPBF IRLR2905TRPBF
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
ٹرانزسٹر کی قسم N-Channel MOSFET (HexFET) —
Drain-Source Voltage (VDS) 55 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 28 A —
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max at VGS=10V 40 mOhm —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) 1.0 V to 2.0 V (logic-level) —
Gate-Source Voltage (VGS) max 20 V —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 68 W —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55C to +175C —
پیکیج TO-252AA (DPAK) TO-252AA (DPAK), surface mount
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Avalanche Rated Yes (fully avalanche rated) Yes
Lead-Free / RoHS Status Lead-Free, RoHS Compliant —
Technology IR MOSFET (HEXFET, 5th generation) HEXFET (IR MOSFET, fifth generation)
Configuration Single N-Channel —
MSL لیول 1 (unlimited floor life at <30C / 85% RH) [DATA_NEEDED: MSL rating]
FET Type — N-Channel MOSFET
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 55 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 42 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current value]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 27 mOhm
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Gate Charge (Qg) — 32 nC
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 110 W
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت — -55C to +175C
Lead-Free / RoHS — Yes / Compliant
Gate Drive — Logic-level compatible

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں