IRLR3410TRLPBF vs IRLR3410TRPBF موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRLR3410TRLPBF بذریعہ Infineon اور IRLR3410TRPBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IRLR3410TRLPBF IRLR3410TRPBF
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) —
Part Number IRLR3410TRLPBF —
Technology HEXFET (5th generation) N-Channel MOSFET HEXFET (IR MOSFET, 5th generation)
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 17 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 60 A —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 105 mOhm —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=5V [DATA_NEEDED: RDS(on) @ VGS=5V] —
Gate-Source Threshold VGS(th) typ 2.0 V —
Total Gate Charge (Qg) 22.7 nC 22.7 nC
Gate Drive Level Logic level (5V capable) —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 79 W —
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت -55C to +175C —
پیکیج TO-252AA (DPAK), surface mount TO-252AA (DPAK), surface mount
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount (tape and reel) Surface Mount
RoHS Compliance Compliant (Pb-free) —
MSL لیول 1 1 (unlimited floor life at <30C/85% RH)
Avalanche Rated Yes (UIS tested) —
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (Vdss) — 100 V
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C — 17 A
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C — 79 W
On-Resistance RDS(on) max — 105 mOhm
Gate Threshold Voltage Vgs(th) — Logic-level (drive ~4.5V)
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج — -55C to +175C (junction)
Lead-Free / RoHS — Yes (PBF suffix)
Drain Tab Connection — Tab electrically tied to Drain
Polarity — N-Channel enhancement mode

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں