IRLR3410TRLPBF vs IRLR3410TRRPBF موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRLR3410TRLPBF بذریعہ Infineon اور IRLR3410TRRPBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IRLR3410TRLPBF IRLR3410TRRPBF
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) —
Part Number IRLR3410TRLPBF —
Technology HEXFET (5th generation) N-Channel MOSFET IR HEXFET (IR MOSFET process)
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 100 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 17 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 60 A —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 105 mOhm —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=5V [DATA_NEEDED: RDS(on) @ VGS=5V] —
Gate-Source Threshold VGS(th) typ 2.0 V —
Total Gate Charge (Qg) 22.7 nC 22.7 nC
Gate Drive Level Logic level (5V capable) —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 79 W —
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت -55C to +175C —
پیکیج TO-252AA (DPAK), surface mount TO-252AA (DPAK), surface mount
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount (tape and reel) Surface Mount
RoHS Compliance Compliant (Pb-free) —
MSL لیول 1 1 (per JEDEC J-STD-020)
Avalanche Rated Yes (UIS tested) Yes
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) — 17 A
Power Dissipation (PD, Tc=25C) — 79 W
On-Resistance (RDS(on) max at VGS=10V) — 105 mOhm
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th) typ) — 1 V (at 250 uA)
Packaging Style — Tape & Reel Right (TRR)
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج — -55C to +175C (junction)
Lead-Free / RoHS Status — Lead-free, RoHS compliant (PBF suffix)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں