IRLR3410TRLPBF vs IRLR3410TRRPBF مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IRLR3410TRLPBF توسط Infineon و IRLR3410TRRPBF توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

مقایسه مشخصات

پارامتر IRLR3410TRLPBF IRLR3410TRRPBF
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) —
Part Number IRLR3410TRLPBF —
Technology HEXFET (5th generation) N-Channel MOSFET IR HEXFET (IR MOSFET process)
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 100 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 17 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 60 A —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 105 mOhm —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=5V [DATA_NEEDED: RDS(on) @ VGS=5V] —
Gate-Source Threshold VGS(th) typ 2.0 V —
Total Gate Charge (Qg) 22.7 nC 22.7 nC
Gate Drive Level Logic level (5V capable) —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 79 W —
دمای اتصال کاری -55C to +175C —
بسته‌بندی TO-252AA (DPAK), surface mount TO-252AA (DPAK), surface mount
نوع نصب Surface Mount (tape and reel) Surface Mount
RoHS Compliance Compliant (Pb-free) —
سطح MSL 1 1 (per JEDEC J-STD-020)
Avalanche Rated Yes (UIS tested) Yes
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) — 17 A
Power Dissipation (PD, Tc=25C) — 79 W
On-Resistance (RDS(on) max at VGS=10V) — 105 mOhm
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th) typ) — 1 V (at 250 uA)
Packaging Style — Tape & Reel Right (TRR)
محدوده دمای کاری — -55C to +175C (junction)
Lead-Free / RoHS Status — Lead-free, RoHS compliant (PBF suffix)

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت