IRLR3410TRPBF vs IRF7832TRPBF موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRLR3410TRPBF بذریعہ Infineon اور IRF7832TRPBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IRLR3410TRPBF IRF7832TRPBF
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
FET Type N-Channel N-Channel
Technology HEXFET (IR MOSFET, 5th generation) HEXFET (trench MOSFET)
Drain-Source Voltage (Vdss) 100 V —
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C 17 A —
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C 79 W —
On-Resistance RDS(on) max 105 mOhm —
Gate Threshold Voltage Vgs(th) Logic-level (drive ~4.5V) —
Total Gate Charge (Qg) 22.7 nC —
پیکیج TO-252AA (DPAK), surface mount 8-SO (SOIC-8)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55C to +175C (junction) -55 C to +150 C (TJ)
Lead-Free / RoHS Yes (PBF suffix) —
MSL لیول 1 (unlimited floor life at <30C/85% RH) 1 (per JEDEC J-STD-020)
Drain Tab Connection Tab electrically tied to Drain —
Polarity N-Channel enhancement mode —
Manufacturer — Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Part Number — IRF7832TRPBF
Drain-Source Voltage (VDS) — 30 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 20 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 4.0 mOhm
Gate-Source Voltage (VGS) max — +/- 20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typical — 1.0 V to 2.5 V
Total Gate Charge (Qg) typical — 34 nC
Power Dissipation (PD) at TA=25C — 2.5 W
RoHS اسٹیٹس — Compliant
Lead-Free — Yes

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں