ISC011N04NM7VATMA1 vs BSC340N08NS3GATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از ISC011N04NM7VATMA1 بذریعہ Infineon اور BSC340N08NS3GATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | ISC011N04NM7VATMA1 | BSC340N08NS3GATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 7 Power-Transistor | — |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | 80 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C | 38 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | 256 A | — |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | 1.1 mΩ | — |
| Power Dissipation (TA) | 3 W | — |
| Power Dissipation (TC) | 136 W | — |
| Gate Threshold Voltage (Vth) | Up to 3.2 V | — |
| Technology | Trench MOSFET, silicon | OptiMOS 3 (N-Channel Trench) |
| پیکیج | PG-TDSON-8 (source-down) | PG-TDSON-8-5 (SuperSO8 5x6) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| Short-Circuit Withstand | Yes (current-limited) | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | -55 °C to +175 °C (TJ) | -55C to +150C |
| RoHS Compliance | Compliant (per Infineon product page) | — |
| MSL لیول | MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) | 1 |
| Part Number | — | BSC340N08NS3GATMA1 |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | — | 23 A |
| Continuous Drain Current (ID, Ta) | — | 7 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | 92 A |
| On-State Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | 34 mOhm |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] |
| Gate-Source Voltage VGS max | — | +/- 20 V |
| Power Dissipation (Tc) | — | 32 W |
| Power Dissipation (Ta) | — | 2.5 W |
| RoHS / Lead-Free | — | RoHS compliant, lead-free |
| Channel Type | — | Single N-Channel |
| Total Gate Charge Qg typ | — | [DATA_NEEDED: Qg typical] |
| Avalanche Rating | — | Repetitive avalanche rated |