ISC052N03LF2SATMA1 vs ISC028N03LF2SATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از ISC052N03LF2SATMA1 بذریعہ Infineon اور ISC028N03LF2SATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | ISC052N03LF2SATMA1 | ISC028N03LF2SATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS 5 30V | — |
| ٹرانزسٹر کی قسم | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 30 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C | 18 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | 74 A | — |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 5.2 mΩ | 2.8 mOhm |
| Power Dissipation (PD) at TA=25°C | 3 W | — |
| Power Dissipation (PD) at TC=25°C | 52 W | — |
| پیکیج | PG-TDSON-8-62 (TDSON EP) | PG-TDSON-8-62 (5x6 mm) with exposed pad |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | -55°C to +150°C | — |
| Technology | Trench MOSFET (OptiMOS 5) | — |
| Polarity | N-Channel | — |
| پن کی تعداد | 8 | — |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | — |
| MSL لیول | [DATA_NEEDED: MSL rating] | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Product Family | — | OptiMOS 5 30V |
| Polarity / Channel Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | — | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | — | 24 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | — | 128 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | — | 2.35 V |
| Power Dissipation at TA | — | 3 W |
| Power Dissipation at TC | — | 83 W |
| آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت | — | -55 C to +175 C |
| RoHS / Lead-Free | — | Yes (RoHS compliant) |