ISC058N04NM5ATMA1 vs IQD005N04NM6CGATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از ISC058N04NM5ATMA1 بذریعہ Infineon اور IQD005N04NM6CGATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | ISC058N04NM5ATMA1 | IQD005N04NM6CGATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Product Family | OptiMOS 5 40V Normal Level | — |
| ٹرانزسٹر کی قسم | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) | 63 A | — |
| Continuous Drain Current (ID, Ta=25C) | 17 A | — |
| On-Resistance Rds(on) max @ VGS=10V, ID=31A | 5.8 mOhm | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | 3.4 V | — |
| Power Dissipation (TA=25C) | 3 W | — |
| Power Dissipation (TC=25C) | 42 W | — |
| پیکیج | PG-TDSON-8 FL (SuperSO8 5x6 mm) | PG-TTFN-9-U02 (Source-Down 5x6 mm²) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | OptiMOS 5 trench MOSFET | OptiMOS 6 (trench FET) |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | -55C to +175C | -55 °C to +150 °C (TJ) |
| RoHS Compliance | RoHS Compliant | — |
| MSL (Moisture Sensitivity Level) | MSL per JEDEC J-STD-020 | — |
| Gate Drive Level | Normal Level (10V VGS recommended) | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 40 V |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) | — | [DATA_NEEDED: VGS max rating] |
| RDS(on) Typical | — | 0.5 mΩ |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | — | 58 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 610 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: IDM pulsed rating] |
| Power Dissipation at Ta | — | 3 W |
| Power Dissipation at Tc | — | 333 W |
| پن کی تعداد | — | 9 |
| MSL لیول | — | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| RoHS اسٹیٹس | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |
| Source Configuration | — | Source-Down (bottom-side source for PCB heatsinking) |